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1γ dram
1γ dram 文章 進(jìn)入1γ dram技術(shù)社區
美光出貨全球首個(gè)基于1γ的LPDDR5X 樣品，引領(lǐng)行業(yè)最薄的設計
- 隨著(zhù)內存巨頭加大對 10 納米級 DRAM 的投入，美光于 6 月 3 日宣布，已開(kāi)始運送全球首款基于 1γ 節點(diǎn)的 LPDDR5X 內存的認證樣品，旨在增強旗艦智能手機的 AI 性能。正如 ZDNet 所指出的，1γ 工藝標志著(zhù)第六代 10nm 級 DRAM，預計將在今年晚些時(shí)候加速量產(chǎn)。該節點(diǎn)的線(xiàn)寬約為 11 至 12 納米，在韓國半導體行業(yè)通常稱(chēng)為 1c DRAM。ZDNet 還指出，LPDDR5X 代表了目前市場(chǎng)上最先進(jìn)的一代低功耗 DRAM，主要應用于移動(dòng)設備。根據美光的新聞
- 關(guān)鍵字： 美光 1γ LPDDR5X
英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM
- 美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開(kāi)發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲器（HBM）。據報道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產(chǎn)品，該項目將利用英特爾的芯片堆疊技術(shù)以及東京大學(xué)持有的數據傳輸專(zhuān)利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。該合作計劃于2027年完成原型開(kāi)發(fā)并評估量產(chǎn)可行性，目標是在2030年前實(shí)現商業(yè)化。Saimemory將主要專(zhuān)注于芯片的設計工作以及專(zhuān)利管理，而芯片的制造環(huán)節則將交由外部代工廠(chǎng)負責這種分工模式有助于充分發(fā)揮
- 關(guān)鍵字： 英特爾 軟銀 HBM DRAM 三星 SK海力士
三星考慮進(jìn)行大規模內部重組
- 據韓媒SEDaily報道，三星半導體部門(mén)（即DS設備解決方案部）正對系統LSI業(yè)務(wù)的組織運作方式的調整計劃進(jìn)行最終審議，相關(guān)決定將在不久后公布。預計在由副董事長(cháng)鄭鉉鎬和DS部門(mén)負責人全永鉉做出最終決定之前，還將進(jìn)行更多高層討論，并聽(tīng)取董事長(cháng)李在镕的意見(jiàn)。系統LSI業(yè)務(wù)主要負責芯片設計，在三星半導體體系中承擔著(zhù)為移動(dòng)業(yè)務(wù)（MX）部門(mén)開(kāi)發(fā)Exynos手機SoC的核心任務(wù)。然而，近年來(lái)Exynos 2x00系列應用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機中的采用率明顯下降，不僅削弱了MX部門(mén)的利潤空間，
- 關(guān)鍵字： 三星 HBM LSI DRAM 半導體 晶圓代工
DDR5上升趨勢放緩;DRAM價(jià)格在第三季度將適度上漲
- 根據 TrendForce 集邦咨詢(xún)最新的內存現貨價(jià)格趨勢報告，DRAM 方面，DDR5 價(jià)格已顯現放緩跡象，預計 25 年第三季度整體 DRAM 價(jià)格漲幅將有所緩和。至于 NAND 閃存，現貨價(jià)格在 2 月下旬以來(lái)上漲后已達到相對較高的水平，購買(mǎi)勢頭現在正在降溫。詳情如下：DRAM 現貨價(jià)格：與 DDR4 產(chǎn)品相比，DDR5 產(chǎn)品仍然會(huì )出現小幅現貨價(jià)格上漲。然而，DDR5 產(chǎn)品的平均現貨價(jià)格已經(jīng)相當高，在某些情況下甚至高于合同價(jià)格。因此，上升趨勢最近有所緩和。組件公司和現貨交易員仍然更愿意接受 DDR4
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Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設計中
- 存儲設備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一個(gè)晶體管、一個(gè)電容器 （1T1C） 和三個(gè)晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預測該技術(shù)能夠實(shí)現 10ns 的讀/寫(xiě)速度和超過(guò) 450 秒的保持時(shí)間，芯片容量高達 512Gbit。這些設計的測試芯片預計將于 2026 年推出
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三星因關(guān)稅前囤積而提高DRAM價(jià)格，DDR4上漲20%
- 在特朗普加征關(guān)稅之前囤積數據推動(dòng)的 DRAM 需求激增似乎是真實(shí)的。據韓國 Etnews 報道，三星一年多來(lái)首次提高了 DRAM 價(jià)格，其中 DDR4 的漲幅最大。該報告表明，三星在 5 月初與主要客戶(hù)敲定了新的定價(jià)條款，已將 DDR4 價(jià)格提高了約 20%。與此同時(shí)，該報告補充說(shuō)，DDR5 價(jià)格的漲幅較小，約為 5%。三星第二季度利潤或將得到提振值得注意的是，Etnews 表示，由于 DRAM 價(jià)格是以數月為基礎進(jìn)行談判的，因此最近的上漲預計將在一段時(shí)間內支持盈利能力，從而為三星第二
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撐不住, SK海力士DRAM漲12%
- 全球存儲器市場(chǎng)近期出現顯著(zhù)價(jià)格上漲，消費級存儲器產(chǎn)品價(jià)格持續攀升。 根據最新市場(chǎng)動(dòng)態(tài)，SK海力士消費級DRAM顆粒價(jià)格已上漲約12%，落實(shí)先前市場(chǎng)的漲價(jià)傳言。美商威騰旗下品牌SanDisk則于先前發(fā)布NAND Flash價(jià)格上調通知，自4月1日起，對所有通路商及零售客戶(hù)的產(chǎn)品實(shí)施價(jià)格調整，漲幅將超過(guò)10%。市場(chǎng)分析人士指出，存儲器價(jià)格近期上漲主要受到全球供應鏈瓶頸、晶圓產(chǎn)能限制及美系客戶(hù)急拉貨的影響。特別是人工智能、云端運算及5G技術(shù)的快速發(fā)展，持續推動(dòng)了對高性能內存的強勁需求，存儲器國際大廠(chǎng)集中資源，生
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三星電子將引入VCT技術(shù)，未來(lái)2到3年推出新型DRAM產(chǎn)品
- 據最新消息，三星電子已制定明確的技術(shù)路線(xiàn)圖，計劃在第7代10nm級DRAM內存工藝（1d nm）后引入VCT垂直通道晶體管技術(shù)。相關(guān)產(chǎn)品預計將在未來(lái)2到3年內問(wèn)世。在規劃下一代DRAM工藝時(shí)，三星電子曾面臨兩種選擇：1e nm工藝和VCT DRAM技術(shù)。經(jīng)過(guò)深入研究和對比，三星最終選擇了VCT DRAM技術(shù)。相較于1e nm，VCT技術(shù)在性能和效率方面表現更優(yōu)。為加快研發(fā)進(jìn)度，三星電子還將原1e nm的先行研究團隊并入1d nm研發(fā)團隊，集中力量推進(jìn)1d nm工藝的開(kāi)發(fā)。VCT DRAM技術(shù)是一種新型存儲
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高速數據中心蓬勃發(fā)展，DRAM內存接口功不可沒(méi)
- 高性能人工智能（AI）數據中心正在以前所未有的方式重塑半導體設計版圖和投資方向。早在2022年，AI基礎設施方面的支出規模就已接近150億美元。而今年這一數字可能輕松突破600億美元大關(guān)。沒(méi)錯，“吸金”，各種資金正從各種投資計劃中向數據中心涌入。顯然，我們正處在一個(gè)人工智能資本支出空前高漲的時(shí)代——盡管DeepSeek等新入局者的潛在影響尚難以被準確估量。但不可否認的是，就在英偉達（Nvidia）、AMD等公司的高性能計算（HPC）處理器成為行業(yè)焦點(diǎn)的同時(shí)，用于存儲訓練和推理模型的高帶寬內存同樣迎來(lái)了屬于
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SK海力士首度超越三星！拿下DRAM季度營(yíng)收第一：HBM市占率高達70%
- 4月9日消息，根據Counterpoint Research的2025年第一季度內存追蹤報告，SK海力士首次超越三星電子，以36%的市占率成為全球DRAM營(yíng)收的領(lǐng)導者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM營(yíng)收市占率達到36%，而三星電子緊隨其后，市占率為34%，美光則以25%的市占率位列第三，其他廠(chǎng)商合計占據剩余的5%。SK海力士預期，營(yíng)收與市占率的增長(cháng)至少會(huì )持續到下一季度，其還表示，公司在關(guān)鍵的HBM市場(chǎng)占有率高達70%。Counterpoint Research資深分析師Jeongku Choi
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美光、SK海力士跟隨中！三星對內存、閃存產(chǎn)品提價(jià)3-5%：客戶(hù)已開(kāi)始談判新合同
- 4月7日消息，據國外媒體報道稱(chēng)，三星公司領(lǐng)導層將對主要全球客戶(hù)提高內存芯片價(jià)格——從當前水平提高3-5%。在三星看來(lái)，“需求大幅增長(cháng)”導致DRAM、NAND閃存和HBM產(chǎn)品組合的價(jià)格上漲，預計2025年和2026年價(jià)格都會(huì )上漲。一位不愿透露姓名的半導體業(yè)內人士表示：去年全年供應過(guò)剩，但隨著(zhù)主要公司開(kāi)始減產(chǎn)，供應量最近有所下降，目前三星漲價(jià)后部分新合同的談判已然啟動(dòng)。此外，人工智能 (AI) 設備在中國接連出現，由于工業(yè)自動(dòng)化，對半導體的需求正在逐漸增加。市場(chǎng)研究機構DRAMeXchange給出的統計顯示，
- 關(guān)鍵字： 內存 DRAM NAND HBM 三星 美光 SK海力士
下游客戶(hù)庫存去化順利，預計2Q25 DRAM價(jià)格跌幅將收斂
- 根據TrendForce集邦咨詢(xún)最新調查，2025年第一季下游品牌廠(chǎng)大都提前出貨因應國際形勢變化，此舉有助供應鏈中DRAM的庫存去化。展望第二季，預估Conventional DRAM（一般型DRAM）價(jià)格跌幅將收斂至季減0%至5%，若納入HBM計算，受惠于HBM3e 12hi逐漸放量，預計均價(jià)為季增3%至8%。PC DRAM、Server DRAM價(jià)格皆持平上季因應國際形勢變化，各主要PC OEM要求ODM提高整機組裝量，將加速去化OEM手中的DRAM庫存。為確保2025年下半年產(chǎn)線(xiàn)供料穩定，庫存水
- 關(guān)鍵字： TrendForce 集邦咨詢(xún) DRAM
美光1γ DRAM開(kāi)始出貨，用上了EUV
- 美光經(jīng)過(guò)多代驗證的 DRAM 技術(shù)和制造策略促成了這一優(yōu)化的 1γ節點(diǎn)的誕生。
- 關(guān)鍵字： 美光1γ DRAM
新型高密度、高帶寬3D DRAM問(wèn)世
- 3D DRAM 將成為未來(lái)內存市場(chǎng)的重要競爭者。
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM
1γ dram介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條1γ dram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對1γ dram的理解，并與今后在此搜索1γ dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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